Hakan Özdemir

Statik RAM, bipolar ve MOS teknolojisi uygulanarak yapılan bir bellek elemanıdır. Bu tip RAM'larda daha çok NMOS ve CMOS tekniği kullanılmaktadır. Adından da anlaşıldığa gibi, elektrik uygulanır uygulanmaz veri depolama yeteneğine sahip olan statik bipolar RAM hücresi, iki ayrı çift emiterli transistörün birbirine çapraz bağlanmasıyla meydana gelmiştir. Bipolar RAM'la MOS RAM arasında belirli bir ayrılık vardır. Bipolar RAM'ın tek bir hücresinde iki transistör ve akım sınırlayıcı iki direnç kullanılırken, bir MOS RAM hücresi tamamen N kanal MOSFET transistörlerden meydana gelmekledir, böylece bipolardaki karmaşıklık MOS'ta yoktur. Statik RAM'lerde bellek hücresi flip-flop'ları içerir. Flip flop (FP) içindeki bilgi, enerji kesilmedikçe depolanmaya devam eder. İsteğe göre yeniden silinir ya da depolanabilir. SRAM, DRAM' e göre çok daha pahalıdır ve işlemcilerde az miktarda kullanılmasının sebebi budur. İşlemci için adap edilmiş olan Level1 Cache SRAM' dır. Bilgisayar bir istekte bulun uğu zaman, ilk olarak Level ı Cache'e bakılır. Eğer istenen komut orda ise işlemci çok hızlı bir şekilde bilgiyi SRAM'den alır ve Level2 Cache'e bakmak için zaman harcamaz. Level 1 ve Level 2 SRAM Cache'ler işlemcinin hızını etkileyen en büyük faktördür.